Intel poinformował o stworzeniu prototypu ultraszybkiego i bardzo energooszczędnego tranzystora. Materiały wykorzystane w nowym tranzystorze mogą stać się podstawą przyszłych mikroprocesorów, które będą produkowane w drugiej połowie przyszłego dziesięciolecia.
Naukowcy z firm Intel oraz QinetiQ zademonstrowali tranzystor typu enhancement-mode wykorzystujący antymonek indu (symbol chemiczny InSb). Pokazany prototyp tranzystora jest znacznie szybszy i bardziej energooszczędny w porównaniu z innymi tranzystorami. Intel zamierza wykorzystać nowy materiał do produkcji układów krzemowych, co umożliwi dalszy rozwój branży zgodnie z prawem Moore'a.
Rezultaty badań wzmacniają naszą wiarę w możliwość dalszego rozwoju branży zgodnie z prawem Moore'a po roku 2015. Oczekujemy, że nowe materiały w połączeniu z kolejnymi innowacjami Intela umożliwią w przyszłości produkcję doskonalszych półprzewodników - powiedział Ken David, dyrektor badań nad komponentami w Technology and Manufacturing Group Intela. Nowy materiał, zapewniając 50-procentowy wzrost wydajności przy jednoczesnym dziesięciokrotnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię, umożliwi optymalizację przyszłych platform pod kątem wydajności oraz energooszczędności - dodał.
Prototypowe tranzystory nowej generacji, których bramki mają długość 85 nm, są najmniejszymi tego typu urządzeniami, jakie kiedykolwiek zostały zapowiedziane. Ich demonstracja była pierwszym pokazem działania tranzystorów typu enhancement-mode. Tego typu tranzystory mogą być zasilane prądem o napięciu 0,5 V, co znacznie zmniejsza zapotrzebowanie na energię całego układu. Dla porównania: tranzystory stosowane we współczesnych układach potrzebują dwukrotnie większego napięcia.
Piotr Kuźmiński
Źródło: WWW, Chip Newsroom
